左则文

左则文,19788月生,安徽郎溪人,博士,副教授,硕士生导师。

 

Email: zuozewen@mail.ahnu.edu.cn

 

个人简介:

1996–2000年,安徽师范大学物理系学习并获得理学学士学位;

2005– 2010年,南京大学物理系学习并获得工学博士学位;

2000年-至今,安徽师范大学物理与电子信息学院助教、讲师、副教授。

研究方向:

硅基纳米材料及其在太阳电池、传感器等方面的应用

讲授课程:

1.      半导体物理学

2.      光纤传感原理及应用

承担科研项目:

1. 国家自然科学基金项目(61106011实现界面钝化的单晶硅/非晶硅纳米线异质结太阳电池研究,主持。

2. 安徽省自然科学基金项目(1308085QF109超细硅纳米线的可控制备与发光特性研究主持。

3. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放基金项目 多孔硅纳米线的可控制备与发光特性调控,主持。

4. 973项目 2007CB936300半导体纳米线结构调控、集成及光电器件应用基础,参与。

5. 国家自然科学基金项目(11374015矢量光束的产生和调控机理及其在气溶胶微粒捕获上的应用,参与。

6. 国家自然科学基金项目(60676006温差电低维结构材料制冷器件研制,参与。

7. 国家自然科学基金项目(60606020纳米尺度相界面结构与VLSVS生长机制,参与。

8. 安徽省教育科学规划项目(JG11027高中物理研究性实验的设计理论与教学实施,参与。

部分学术论文:

1. Z. W. Zuo*, K. Zhu, G. L. Cui, W. X. Huang, J. Qu, Y. Shi, Y. S. Liu, G. B. Ji, Improved antireflection properties and optimized structure for passivation of well-separated, vertical silicon nanowire arrays for solarcell applications, Solar Energy Materials & Solar Cells, 125, 248 (2014)

2. Z. W. Zuo*, G. L. Cui, Y. Shi, Y. S. Liu, G. B. Ji, Gold-thickness-dependent Schottky barrier height for charge transfer in metal-assisted chemical Etching of silicon, Nanoscale Research Letters 8, 193 (2013) .

3. Z. W. Zuo, G. L. Cui, Y. Wang, J. Z. Wang, Lin Pu, and Y. Shi*, Substrate-thickness dependence of hydrogenated microcrystalline silicon nucleation rate on amorphous silicon layer, Chemical Vapor Deposition 19, 363(2013).

4. Z. W. Zuo, G. L. Cui, Y. Wang, J. Z Wang, L. Pu, and Y. Shi*, GISAXS and ATR-FTIR Studies on Stress-Induced Microstructure Evolution of a-Si:H under H2 Plasma Exposure, Chinese Physics Letters 29, 106801 (2012).

5. Z. W. Zuo, Y. Wang, J. Lu, J. Z. Wang, L. Pu, Y. Shi*, and Y. D. Zheng, High rate deposition of microcrystalline silicon films using jet-type inductively coupled plasma chemical vapor deposition, Vaccum 86, 924 (2012).

6. Z. W. Zuo, W. T. Guan, Y. Wang, J. Lu, J. Z. Wang, L. Pu, Y. Shi*, Y. D. Zheng, X. Y.Luo, H. H. Wang, Influence of ultrathin amorphous silicon layers on the nucleation of microcrystalline silicon under hydrogen plasma treatment, Applied Physics Letters 98,041902 (2011).

7. Z. W. Zuo, W. T. Guan, Y. Xin, J. Lu, J. Z. Wang, L. Pu, Y. Shi*, Y. D. Zheng, Growth and microstructure properties of microcrystalline silicon films deposited using jet-ICPCVD, Journal of Semiconductor 32 (3), 032001 (2011).

8. Z. W. Zuo, W. T. Guan, Y. Xin, J. Lu, J. Z. Wang, L. Pu, Y. Shi*, Y. D. Zheng, Crystallization control of the incubation layer in microcrystalline silicon films deposited by using jet-ICPCVD, Electrochemical and Solid-State Letters 13, H55 (2010).

9. Z. W. Zuo, Y. Wang, Y. Xin, J. Lu, J. Z. Wang, L. Pu, Y. Shi*, Y. D. Zheng, Structural evolution of the incubation layer in microcrystalline silicon films deposited by Jet-ICPCVD, 10th International Conference on Solid-state and Integrated-circuit Technology Shanghai, 1-4, Nov., 1536 (2010).

10. 左则文,闾锦,管文田,濮林,施毅*,郑有炓,微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特性,南京大学学报(自然科学版)44, 392 (2008).

11. Y. S. Liu, G. B. Ji*, J. Y. Wang, X. Q. Liang, Z. W. Zuo, Y. Shi, Fabrication and photocatalytic properties of silicon nanowires by metal-assisted chemical etching: effect of H2O2 concentration, Nanoscale Research Letters 7, 663 (2012).

12. J. Z. Wang, Z. Q. Shi, Z. S. Tao, X. L. Zhang, Z. W. Zuo, L. Pu, R. Zhang, Y. D. Zheng, F. Lu, Y. Shi*, Thermal treatment on the sensitization effect in Er-doped Si/Al2O3 superlattices, ACTA PHYSICA SINICA 58, 4243 (2009).

[12] 专利:施毅,左则文,辛煜,濮林,王军转,张荣,韩平,谢自立,顾书林,郑有炓,快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法,专利号:200710133452.

[13] 专利:辛煜,施毅,左则文,宁兆元,一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器,专利号:200710134954.

 

添加者:王亚青|添加时间:2014-10-30|预审者:|审核者:王亚青